SSD SUPERA A HDD

Es ahora cuando un SSD supera un HDD y se notó en la Flash Summit de California cuando Samsung presentó un SSD de alto rendimiento de 16 TB de 2.5".

La innovación esta en los nuevos chips NAND de 256Gbit, el doble de capacidad que los chips que se pueden encontrar actualmente. Para culminar tal logro, Samsung logró crear un chip con 48 capas de memoria con 3 bits por celda (TLC). No sólo aumenta la densidad de memoria de los chips NAND sino tambien mejora la velocidad, fiabilidad y eficiencia gracias a los avances de la división de semiconductores. Aquí entra en juego las celdas TLC de 3 bits.




Normalmente los chips de memoria se desarrollaban en un plano de dos dimensiones, entonces para añadir mas memoria el chip tendría que ser mas grande a igualdad de nanómetros en el proceso FinFET, pero esta forma de añadir capacidad tiene un limite muy cercano si se necesita alojar estos chips en un disco SSD de 2.5". Las celdas de memorias se incluyen en capas apiladas una encima de otra, en lugar de incrementar el  espacio 2D. De esta forma se pueden incluir decenas de capas de celdas en el mismo espacio.

La tecnología para discernir el dato es cada vez más compleja a más valores queramos almacenar y leer. Programar una celda con 3 bits (TLC) es más difícil que con 1 bit (SLC), pero compensa enormemente por el incremento de densidad de los chips de memoria. Las memorias VNAND TCL son las responsables de lograr bajar el costo a menos de $1 por GB.

La diferencia entre una NAND Single-Level-Cell (SLC) y una Multi-Level-Cell (MLC) es la cantidad de bits que puede almacenar esa celda al mismo tiempo, es decir se distinguen niveles en la carga de esa celda y se lee más valores que un 1 o un 0. Las NAND SLC sólo pueden almacenar un bit de información por cada celda. Tal y como sus nombres indican las memorias NAND MLC pueden almacenar 2 bits de datos o 3 bits de datos (TLC).